- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
1 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) is the basic building block of modern electronics. Attachments. P4416I -- Dec 9 2021 -- 3rd Generation SiC MOSFETs_FINAL FOR ...
به خواندن ادامه دهیداصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار میکند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهیدماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟ یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور [۱] (به انگلیسی: transistor) مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع وصل سیگنال ها به عنوان سوئیچ به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه ...
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیدto the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at the trench bottom becomes high. Therefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench MOSFETs. Figure 3 illustrates the
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای سیگنال کوچک تقریباً در همه انواع تجهیزات الکترونیکی استفاده می شوند و هم چنین این ترانزیستورها در چندین کاربرد استفاده می شوند، برخی از آن ها سوئیچ ON یا OFF برای استفاده عمومی ...
به خواندن ادامه دهیدهنگام استفاده از ماسفت یا استفاده از هر ترانزیستور اثر میدان دیگری به عنوان سوییچ، بهتر است که اولویت با انتخاب ماسفت هایی با R DS پایین باشد در ضمن در برخی مواقع استفاده از هیت سینک (Heat Sink) برای ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs have much lower switching loss than IGBTs, which enables higher switching frequency, smaller passives, smaller and less expensive cooling system. Compared to 600V-900V silicon MOSFETs, SiC MOSFETs have smaller chip area (mountable on a compact package) and an ultralow recovery loss .
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهیدنام پایه های ترانزیستور را می‌توان با استفاده از همین شکل ظاهری تشخیص داد. نام پایه های ترانزیستور را می‌توان با نگاه کردن به جهتی که پیکان به سمت آن نشان می‌دهد، به راحتی تشخیص داد.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ها دقیقا چه نوع وسیله ای هستند؟. ترانزیستورها وسایلی هستند که حرکت الکترون ها و در نتیجه الکتریسیته را کنترل می کنند. آنها چیزی شبیه یک شیر آب کار می کنند – نه تنها یک جریان را شروع ...
به خواندن ادامه دهیدigfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهیدBased on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs. In comparison to traditional Silicon-based switches like IGBTs and MOSFETs, the Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET offers a series of advantages. CoolSiC™ MOSFET …
به خواندن ادامه دهیدPower MOSFET Applications. The ST Power MOSFET portfolio offers a broad range of breakdown voltages from -100 to 1700 V, combining state-of-the-art packaging with low gate charge and low on-resistance. Our process technology ensures high-efficiency solutions through enhanced power handling with MDmesh high-voltage power MOSFETs and …
به خواندن ادامه دهیداستفاده کرد.از این قطعات برای طراحی مدار الکترونیکی نیز استفاده می شود. انواع ترانزیستور ها. ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی ( jfet ) ترانزیستورهای اثر میدانی( mosfet) ترانزیستورهای اثر میدانی (fet )
به خواندن ادامه دهیدpart. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهیدCreate more efficient and compact systems than ever with STPOWER SiC MOSFETs. Bring the advantages of innovative wide bandgap materials (WBG) to your next design thanks …
به خواندن ادامه دهیدنکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی معمولاً برای ایجاد منبع جریان با Junction-FET (JFET) استفاده می‌شوند و MOSFET نیمه‌هادی اکسید فلز در حال حاضر در برنامه‌های کاربردی با منبع جریان پایین استفاده می‌شود.
به خواندن ادامه دهیدبخشی از مقاله. ترانزیستور. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJTs) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی ...
به خواندن ادامه دهیدکانال بین سورس و درین، کانال p نامیده می شود. نمادهای jfet های کانال p در زیر آورده شده است. در اینجا، علامت های فلش جهت جریان را نشان می دهد. ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز (mosfet)
به خواندن ادامه دهیدAdvanced Gate Drive Options for Silicon-Carbide (SiC) MOSFETs using EiceDRIVER™ SiC MOSFET gate-drive requirements and options 2 SiC MOSFET gate-drive requirements and options This section derives necessary and optional requirements out of the SiC MOSFET general properties to drive the gates of SiC MOSFET properly. 2.1 …
به خواندن ادامه دهیدFeatured Products. Higher power density with the Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET in a tiny H2PAK-7 SMD package. Combining outstanding performance with package compactness, the new SCTH60N120G2-7 enables smaller and more efficient systems in high-end industrial applications. New highly versatile 650 V STPOWER SiC MOSFET in …
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای JFET(Junction Field Effect Transistors( در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیتجریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیدSemiconductor company STMicroelectronics has introduced new silicon carbide (SiC) power modules. With five new module variants, OEMs are to be offered flexible options. The Hyundai Motor Group is the first customer on board. The Koreans use SiC technology in the Kia EV6, among others. The five power modules are based on the …
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند.
به خواندن ادامه دهیدماسفت قدرت از پر کاربرد ترین کلید هایی است که از آنها در ولتاژ های کمتر از ۲۰۰ ولت استفاده می شود و از مهم ترین کاربرد های آن می توان به موارد زیر اشاره کرد.
به خواندن ادامه دهیدsic（シリコン･カーバイド）パワーmosfetは、なワイド･バンドギャップ（wbg）のメリットをします。stのsic（シリコン･カーバイド）mosfetは …
به خواندن ادامه دهیدPower MOSFET Diode(SiC) Intelligent Power Device D-IGBT Photo Coupler(Tr) Power Management IC(LDO) Optical Fiber Link Bipolar Transistor Photo Coupler(Logic) TOSHIBA Discrete Device One Gate Logic (L MOS)
به خواندن ادامه دهیدبا استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهیدSiC: Silicon carbide. for a more sustainable future. STMicroelectronics introduced its first SiC diodes in 2004, after several years of research and development on silicon carbide technology. SiC MOSFETs were introduced in 2009 and entered mass production in 2014. Today, ST's portfolio of medium- and high-voltage power products based on SiC ...
به خواندن ادامه دهیدWith a pleasant climate, Zhengzhou is welcoming all year round. The hottest month is July and the average temperature is about 27°C (80.6°F) while the coldest …
به خواندن ادامه دهید