- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
آلایش. در تولید نیم‌رسانا ، آلایش یا دوپینگ (به انگلیسی: Doping) وارد کردن عمدی ناخالصی‌ها به یک نیم‌رسانای ذاتی به منظور تغییر در ویژگی‌های الکتریکی، نوری و ساختاری آن است. ماده آلاییده به ...
به خواندن ادامه دهیدمواد کامپوزیت اغلب در کاربردهای ساختاری مورد استفاده قرار می‌گیرند، جایی که توانایی مناسب از خواصی مانند سفتی و استحکام، آنها را در مقایسه با مواد مهندسی سنتی جذاب میکند.
به خواندن ادامه دهیددر اینجا همه آنچه را که باید در مورد ترانزیستور MOSFET ، یکی از مهمترین دستگاههای نیمه رسانای حالت جامد بدانید آورده شده است. ... آن تماس می گیرند سه منطقه نیمه هادی متفاوت. در دو قطبی این مناطق را ...
به خواندن ادامه دهیدبه دلیل ساختار مواد نیمه‌هادی، الکترون‌ها مجبور به ایجاد موجی از جریان الکتریکی در یک جهت می‌شوند. سلول‌های خورشیدی در نمودار انرژی سلول خورشیدی سیلیکونی کریستالی معمولی، دارای راندمان ...
به خواندن ادامه دهیددر نهایت اتحادیه بین‌المللی شیمی محض و شیمی کاربردی (IUPAC) فوتوکاتالیز را به صورت زیر تعریف کرد:تغییر سرعت یا نقطه آغاز یک واکنش شیمیایی تحت تابش نور (فرابنفش، مرئی، فروسرخ)، در حضور ماده ای که ...
به خواندن ادامه دهیدMouser Electronics에서는 N-Channel 900 V MOSFET 을 (를) 제공합니다. Mouser는 N-Channel 900 V MOSFET 에 대한 재고 정보, 가격 정보 및 데이터시트를 제공합니다.
به خواندن ادامه دهیدON Semiconductor's new 1200 volt (V) and 900 V N-channel SiC MOSFETs deliver faster switching performance and enhanced reliability when compared to silicon. A fast intrinsic diode with low reverse recovery charge delivers a significant reduction in power losses, boosts operating frequencies, and increases the power density of the overall ...
به خواندن ادامه دهیدتاریخ انتشار: 6 نوامبر 2021. بازدید: 701 بازدید. مدار مجتمع (IC)، که گاهی اوقات تراشه، ریزتراشه یا مدار میکروالکترونیک نامیده می شود، ویفر نیمه هادی است که بر روی آن هزاران یا میلیون ها مقاومت، خازن ...
به خواندن ادامه دهید800V and 900V CoolMOS™ C3. Overview. 800V and 900V CoolMOS™ C3 superjunction MOSFETs. Infineon's 800V and 900V CoolMOS™ C3 high performance families are …
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون پلی‌کریستالی (برای تولید مونوکریستالهای سیلیکون با فرایند چکرالسکی استفاده می‌شود ) پرونده:Leo Tie Rodsedit.jpg میله‌ای از پلی سیلیکون نیمه هادی. در سطح اجزاء، پلی‌سیلیکون مدت‌هاست که به ...
به خواندن ادامه دهیددیاگرام بالا ساختار و شبکه ناخالصی اهدا کننده اتم انتیمون را نشان می‌دهد. اساس نیمه رسانا نوع p. اگر به سمت دیگر برویم و ناخالصی های "سه ظرفیتی" (3-الکترون) را در ساختار کریستالی معرفی کنیم مانند آلومینیوم، بورون یا ...
به خواندن ادامه دهیدآشکارساز پرتو ایکس. از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد. استفاده از رادیوگرافی پروجکشنال ، با یک ژنراتور اشعه ایکس و یک آشکارساز تصویربرداری. آشکارسازهای اشعه ایکس دستگاه‌هایی هستند که برای ...
به خواندن ادامه دهیدتاریخ نیمه هادی ها. اصطلاح "نیمه هادی" برای اولین بار توسط الساندرو ولتا در سال 1782 استفاده شد. مایکل فارادی اولین نفری بود که اثر نیمه هادی را در سال 1833 مشاهده کرد. فارادی مشاهده کرد که مقاومت ...
به خواندن ادامه دهیدآشنایی با موضوع. نیم‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی: Semiconductor) عنصر یا ماده‌ای است که در حالت عادی عایق باشد، ولی با افزودن مقداری ناخالصی قابلیّت هدایت الکتریکی پیدا کند (منظور از ناخالصی ...
به خواندن ادامه دهیداین نوع ماسفت ناخالصی کمتری در کانال هدایت دارد. با توجه به نوع نیمه هادی مورد استفاده در ساخت ترانزیستور، در این نوع ماسفت هم دو نوع کانال n و کانال p وجود دارد.
به خواندن ادامه دهیدکریستال سیلیکون متداول‌ترین نیم‌رسانای مورد استفاده در میکروالکترونیک فتوولتاییک. نیم‌رسانا [۱] یا نیمه‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی : Semiconductor) عنصری است که رسانایی الکتریکی آن، چیزی ...
به خواندن ادامه دهیدسایر مواد نیمه هادی در کاربردهای ویژه مورد استفاده قرار می گیرند. برای مثال گالیم – آرسناید و ترکیبات وابسته به آن در قطعات بسیار سریع و قطعات نوری به کار میروند.
به خواندن ادامه دهیدFeatures. Minimum of 900 V BR across the entire operating temperature range. Low-impedance package with driver source. High blocking voltage with low R DS …
به خواندن ادامه دهیدهمانطور که در شکل۷ مشاهده می‌کنید، ترانزیستور MOSFET از دو الکترود فلزی به نام سورس و درین تشکیل شده که در نیمه‌هادی از نوع n یا p قرارگرفته‌اند (در اینجا در نوع n قرار گرفته‌اند). بین این دو ...
به خواندن ادامه دهیددر نیمه هادیها، جذب نور به‌طور کلی منجر به هیجان الکترون ازباندظرفیتی به باند انتقال می‌شود و یک سوراخ را بجامی گذارد. الکترون و سوراخ می‌توانند به یکدیگر متصل شوند تا یک اگسیتون تشکیل شود.
به خواندن ادامه دهیدSiC 900 V MOSFET are available at Mouser Electronics. Mouser offers inventory, pricing, & datasheets for SiC 900 V MOSFET. Skip to Main Content (800) 346-6873 ... MOSFET 900V 120mOHMS SiC MOSFET AUTO AECQ101 E3M0120090J; Wolfspeed; 1: $11.24; 1,151 In Stock; Mfr. Part # E3M0120090J. Mouser Part # 941-E3M0120090J.
به خواندن ادامه دهیدآموزشها. /. آموزش مواد نیمه رسانا – نیمه هادی های ساده و مرکب (رایگان) مشخصات آموزش نظرات. امروزه علم الکترونیک را می‌توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد. دلیل اهمیت این قطعات ...
به خواندن ادامه دهیدلیست مواد نیمه هادی ها. انواع بسیار مختلف زیادی از مواد نیمه هادی وجود دارد که می توانند در وسایل الکترونیکی استفاده شوند. هر یک مزایا، معایب و نواحی خودش را دارد که می تواند برای ارائه بهترین ...
به خواندن ادامه دهیدMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Learn More about onsemi 900v sic mosfets Datasheet
به خواندن ادامه دهیددر این مقاله ما بررسی میکنیم که ترانزیستور ها چه هستند و چگونه کار میکنند. ترانزیستور چیست؟ ترانزیستور نوعی دستگاه نیمه هادی است که برای هدایت و عایق بندی جریان الکتریکی و ولتاژ استفاده می ...
به خواندن ادامه دهیدSilicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 900V, M2, D2PAK−7L
به خواندن ادامه دهیدCree Inc. has introduced its latest SiC power device technology: the industry's first 900V MOSFET platform.
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم (Si) بیشترین کاربرد را در قطعات نیمه‌هادی دارد. این ماده هزینه کمتری در مواد اولیه و فرایند نسبتاً ساده‌ای دارد. دامنه دمای مفید آن باعث می‌شود تا در حال حاضر بهترین مصالحه در بین مواد مختلف …
به خواندن ادامه دهیدبه آن "بول" گفته می شود. رشد Czochralski مقرون به صرفه ترین روش برای تولید بول های کریستال سیلیکون مناسب برای تولید ویفر سیلیکون برای ساخت دستگاه های نیمه هادی عمومی است (معروف به ویفرهای CZ). این روش ...
به خواندن ادامه دهیدمقاله کنفرانسبررسی تکنولوژی ساخت ادوات نیمه هادی. نویسنده: مریم صفری ،. نخستین همایش ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق - 1393. کلیدواژه: ساخت نیمه هادیها، رونشستی ناحیه فعال، لایه نشان دکتر ...
به خواندن ادامه دهیدنیمه هادیها عناصری هستند که بین هادی و عایق قرار دارند. به این معنی که در لایه آخر آنها دقیقا 4 الکترون ظرفیتی وجود دارد و یا با دریافت الکترون تکمیل شده و عایق شوند و یا با از دست دادن الکترون ...
به خواندن ادامه دهیداصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار میکند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهیددر جدول زیر هدایت الکتریکی نیمه هادیها در دمای ... فلزات واسطه مانند مس، قلع، نقره و کروم به عنوان حافظه‌های نوری و مواد لیزری مورد استفاده قرار می‌گیرند. شیشه‌های کالکوژنایدی که بواسطه ...
به خواندن ادامه دهیدمواد بر اساس ساختار و خواص متفاوتی که شامل آن هستند به پنج گروه اصلی زیر تقسیم بندی می شوند: فلزات. سرامیک ها. پلیمرها. کامپوزیت ها. نیمه هادی ها. اما موادی نیز در این پنج گروه وجود دارند که ...
به خواندن ادامه دهیددر نیمه هادی نوع p به حفره ها حامل شارژ اکثریت، و به الکترون‌های آزاد حامل شارژ اقلیت گفته می‌شود. حال بررسی میکنیم که هنگام عبور جریان از نیمه هادی نوع n و نوع p چه اتفاقی رخ می دهد.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله شده یا ماسفت (mosfet) یک قطعه نیمه‌هادی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور دوقطبی مشابه است.
به خواندن ادامه دهید