- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Many in the SiC MOSFET research community spent the late 1980s and 1990s further studying the nature of various interface states in the SiC-SiO2 system. Research in the late 1990s and early 2000s led to remarkable improvements in understanding the sources of interface states (whose density is abbreviated Dit), as well …
به خواندن ادامه دهیدA 1.2 kV trench gate SiC MOSFET with a low switching loss was developed by Fiji Electric . The proposed device exhibits a 48% reduction in on-resistance, with a higher threshold voltage than the conventional SiC planar MOSFET. A 4H-SiC Planar MOSFET with a blocking voltage of 2.3 kV was proposed 2 . The fabricated device …
به خواندن ادامه دهیدFeatured Products. Higher power density with the Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET in a tiny H2PAK-7 SMD package. Combining outstanding performance with package compactness, the new SCTH60N120G2-7 enables smaller and more efficient systems in high-end industrial applications. New highly versatile 650 V STPOWER SiC MOSFET in …
به خواندن ادامه دهیدآشنایی با شرکت های خودروسازی ایران. خودروسازی، یکی از صنایع مادر و بسیار مهمی است که به‌عنوان موتور محرک کارخانه‌های ریزودرشت متعددی به فعالیت مشغول بوده است و سالانه، مبالغ بسیار هنگفتی ...
به خواندن ادامه دهیدThere are many advantages to choosing SiC MOSFETs over silicon MOSFETs, such as higher switching frequencies. High-temperature development is also not a concern when …
به خواندن ادامه دهیدHigher power density with the Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET in a tiny H2PAK-7 SMD package. Combining outstanding performance with package compactness, the new SCTH60N120G2-7 enables smaller and more efficient systems in high-end industrial applications. New highly versatile 650 V STPOWER SiC MOSFET in 4-lead HiP247 …
به خواندن ادامه دهیدperformance from ST's 1200 V SiC MOSFET in your application. The first ST SiC MOSFET given is the 80 mΩ version (SCT30N120), the device is packaged in the proprietary HiP247™ package and features the industry's highest junction temperature rating of 200 °C. All the data reported in the present work refers to the SCT30N120.
به خواندن ادامه دهید← لیست شرکت های خودرویی در ایران → . ۷. شرکت شهاب خودرو. شهاب خودرو شرکت خودروسازی ایرانی است که فعالیت خود را در سال ۱۳۴۵ با نام لیلا لند موتور ایران آغاز کار کرده و در سال ۱۳۷۸ به مالکیت آستان قدس رضوی درآمد.
به خواندن ادامه دهیدWith a SiC MOSFET motor drive system, the cable count can be reduced to two long cables that connect to each of the motor's motor drives within the local motor assembly. Image 2: Comparison of a Silicon …
به خواندن ادامه دهیدصنایع خودروسازی ایلیا. کارخانه تولیدی صنایع خودروسازی ایلیا در شهر صنعتی کاوه در استان مرکزی واقع شده‌است و قادر به تولید خودرو با ظرفیت اسمی سالانه ۱۵ هزار دستگاه می‌باشد.
به خواندن ادامه دهیدهمزمان با نود و نهمین سالگرد تاسیس جمهوری ترکیه، کارخانه خودروسازی TOGG (تاگ) با حضور رجب طیب اردوغان، رئیس جمهور این کشور افتتاح شد. تاگ (Türkiye'nin Otomobili Girişim Grubu) اولین برند خودرو ملی ترکیه، سه ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs capable of blocking extremely high voltages (up to 15kV); while dopant control for thin highly-doped epitaxial layers has helped enable low on-resistance 900V …
به خواندن ادامه دهیدThe main features of our SiC MOSFETs include: Automotive-grade (AG) qualified devices. Very high temperature handling capability (max. T J = 200 °C) Very high switching frequency operation and very low switching losses. Low on-state resistance. Gate drive compatible with existing ICs. Very fast and robust intrinsic body diode.
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs can also tolerate a higher maximum junction temperature (T j(max)) than Si. A typical T j(max) value for a Si MOSFET is 150˚C; SiC devices can withstand a T j(max) of up 600˚C, although commercial devices are typically rated at 175 to 200˚C. Table 2 provides a comparison of properties between Si and 4H-SiC (the …
به خواندن ادامه دهیدA general review of the critical processing steps for manufacturing SiC MOSFETs, types of SiC MOSFETs, and power applications based on SiC power devices are covered in this paper. Additionally ...
به خواندن ادامه دهیدHow to Drive SiC MOSFETS. With the superior material properties in mind the question poses how these parts have to be controlled on to work at their very best. Starting from things we know, Si MOSFETs need a positive gate voltage, which is recommended around 12V or even less and the negative gate voltage should be ground …
به خواندن ادامه دهیدProducts Package Blocking Voltage Current Rating R DS (ON) at 25°C Qualification Next Section Explore The Options E-Series Automotive-Qualified Silicon Carbide MOSFETs …
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs eliminate tail current during switching, resulting in faster operation, reduced switching loss, and increased stabilization. Lower ON resistance and a compact chip size …
به خواندن ادامه دهیدInfineon is the world's largest manufacturer of power semiconductor components, offering the most comprehensive portfolio of metal-oxide-silicon transistors. With the acquisition of International Rectifier (IRF) in 2015, Infineon has continued to strengthen and expand this portfolio to include all IRF MOSFET products, as well as power MOSFETS, placing us at …
به خواندن ادامه دهیدAs an alternative to traditional silicon MOSFETs, silicon carbide MOSFETs offer the advantages of higher blocking voltage, lower on-state resistance, and higher thermal conductivity...
به خواندن ادامه دهیدبه روزرسانی ۲ مرداد ۱۴۰۲: لیست قیمت جدید کارخانه ای محصولات سایپا با احتساب کلیه هزینه های جانبی ویژه مردادماه ۱۴۰۲ منتشر شد. نام محصول. قیمت (ریال) ساینا S تیپ DA. ۲,۴۸۶,۹۴۰,۰۰۰. ساینا S دوگانه. ۲ ...
به خواندن ادامه دهیدپس از اعلام تأسیس برند سیر (Ceer)، عربستان سعودی مراحل ساخت اولین کارخانه خودروهای الکتریکی خود را آغاز کرد. شرکت ملی خودروسازی عربستان سعودی، «سیر» با شرکت «شهر اقتصادی عمار» قراردادی را برای ...
به خواندن ادامه دهیدpart. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهیداز جمله مزایای جاروبرقی صنعتی کارخانه خودروسازی می توان به موارد زیر اشاره کرد. ۱- جمع آوری هر چه سریع تر آلودگی از محیط. ۲- تولید محصول با کیفیت بیشتر. ۳- افزایش ایمنی محیط. ۴-کاهش حوادث جانی در ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs have proven to be ideal for high power and high voltage devices, and are targeted as a replacement for Silicon (Si) power switches. SiC MOSFETs use an entirely new technology that provides superior switching performance and higher reliability than Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure …
به خواندن ادامه دهیدWide Bandgap Materials 4 Radical innovation for Power Electronics Si GaN 4H-SiC E g (eV) –Band gap 1.1 3.4 3.3 V s (cm/s) – Electron saturation velocity 1x10 72.2x10 2x107 ε r …
به خواندن ادامه دهیدکارخانه فیات، در شهر تورین. فیات (به ایتالیایی: Fiat) (اختصاری Fabbrica Italiana Automobili Torino) شرکت خودروسازی ایتالیایی بود، که در زمینه طراحی و تولید انواع خودرو، وسایل نقلیه تجاری، قطعات و موتور خودرو فعالیت می‌کرد.
به خواندن ادامه دهیدAdditionally, for all variants a low on-resistance, stable and reproducible even in mass production, is achieved. Guaranteed at driving voltage levels of only V. CoolSiC™ is synonymous with pioneering in trench SiC …
به خواندن ادامه دهید4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are considered next-generation power semiconductor devices owing to their excellent physical properties, such as high critical electric field and high thermal conductivity of silicon carbide (SiC), which is a wide bandgap material [1–4].In power semiconductor devices, the trade …
به خواندن ادامه دهیدOwing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher …
به خواندن ادامه دهیدSilicon Carbide CoolSiC™ MOSFET technology represents the best performance, reliability, and ease of use for system designers. Silicon Carbide (SiC) power transistors open up …
به خواندن ادامه دهیدشرکت خودروسازی توسعه بین الملل لوتوس. واردات خودرو. شرکت زامیاد - کارخانه | خودروسازی | آدرس: تهران، منطقه 21، محله چیتگر جنوبی، بزرگراه لشگری | تلفن: 0214492... | موقعیت روی نقشه.
به خواندن ادامه دهیدFigure 10: Dependence of on-state characteristics of a SiC commercial device on the temperature. Black: 25 °C; Red: 150 °C [11]. Figure 11: Post-failure analysis on a commercial discrete SiC MOSFET after a repetitive short-circuit test, showing a crack in the field oxide [12]. This article originally appeared in Bodo's Power Systems magazine.
به خواندن ادامه دهید4 advantages of SiC's higher breakdown field and higher carrier concentration, SiC MOSFET thus can combine all three desirable characteristics of power switch, i.e., high voltage, low on-resistance, and fast
به خواندن ادامه دهیددر همین راستا یک فعال صنعت خودروسازی با اعلام این‌که اگر تحریم‌ها نبود شرکت شیرین عسل تاکنون کارخانه خودروسازی خود را تاسیس می‌کرد، گفت مالک شیرین عسل از سال 1396 به کشورهای صاحب این صنعت از جمله ایتالیا و چین سفرهای ...
به خواندن ادامه دهید