تعریف میدان مغناطیسی. بهمنظور تعریف میدان مغناطیسی در یک نقطه، مطابق با شکل زیر بار q را تصور کنید که با سرعت $$overrightarrow {v}$$ در میدان مغناطیسی برابر با $$overrightarrow {B}$$ در حال حرکت کرد. با توجه …
به خواندن ادامه دهیدفرض میکنیم یک سیمپیچ الکترومغناطیسی داریم که به دلیل جریان الکتریکی زیاد درون آن قدرت مغناطیسی بالایی دارد، و ماده هسته فرومغناطیس به نقطه اشباع یا حداکثر چگالی شار خود رسیده است.با باز کردن یک کلید و حذف جریان درون ...
به خواندن ادامه دهیدنفوذپذیری مغناطیسی یکی از خواص الکتریکی ماده است. بر اساس این خاصیت، مواد به دستههای پارامغناطیس، دیامغناطیس، فرومغناطیس و فریمغناطیس تقسیم میشوند.
به خواندن ادامه دهیدفرومغناطیس خاصیتی است که به بعضی از مواد واکنش مغناطیسی شدید و دائمی می دهد. در طبیعت پنج عنصر با این خاصیت وجود دارد: آهن ، کبالت ، نیکل ، گادولینیوم و دیسپروزیم ، این دومین زمین نادر است.
به خواندن ادامه دهیداگر ماده مغناطیسی موجود در هسته نفوذ پذیری بالایی داشته باشد، تراکم خطوط شار بالا است. از نفوذپذیری(μ) به عنوان معیاری برای سنجش مغناطش هسته استفاده می شود. ثابت نفوذپذیری خلأ، به صورت ۷-
به خواندن ادامه دهیداین موتور تک فازاست و روتور آن از جنس فرومغناطیسی با ساپورت غیر مغناطیسی بر روی شافت ساخته شدهاست. ویژگی ساختاری موتور هیسترزیس. موتورهیسترزیسی از قطعات زیر تشکیل شدهاست: 1- استاتور
به خواندن ادامه دهیدفولادهای مغناطیسی نرم مورد استفاده در صنعت برق به سه دسته اصلی تقسیم بندی می شوند که عبارتند از: الف: فولادهای کم کربن. ب: فولادهای سیلیکونی با دانه های غیر جهت دار. ج: فولادهای سیلیکونی با دانه ...
به خواندن ادامه دهیدهسته ترانسفورماتور از ورقههای نازک فولاد سیلیکونی دانه گرا (crgos )که معمولاً به عنوان فولاد هسته شناخته میشود، ساخته شده است. فولاد هسته از آلیاژ سیلیکون با فولاد کم کربن ساخته شده است.
به خواندن ادامه دهیداندازهگیری دقیق گذردهیالکتریکی نسبی(Relative permittivity)، نفوذپذیری مغناطیسی نسبی (Relative permeability)، ازجمله عوامل حیاتی پیشرفت برنامههای کاربردی الکترونیک میباشد.
به خواندن ادامه دهیددر نتیجه میدان مغناطیسی درون سیم برابر است با: بهمنظور ایجاد تقارن، میدان مغناطیسی در z=0 برابر با صفر است. نهایتا میدان مغناطیسی را میتوان به صورت برداری و به شکل زیر نشان داد. در حالتی حدی ...
به خواندن ادامه دهیدترانسفورماتور کاهنده در خط توزیع که برای کاهش ولتاژ انرژی نصب شده است. ترانسفورماتور (به فرانسوی: Transformateur) یا ترَنسفورمر (به انگلیسی: Transformer) وسیلهای است که انرژی الکتریکی را بین دو یا چند ...
به خواندن ادامه دهیدهمانطور که در شکل مشخص است فقط برای سیمهای مسی، ناحیه بسامدی که در آن گذردهی الکتریکی منفی میشود بالای ۹ GHz و برای آرایش حلقههای شکافته (SRR) نفوذپذیری مغناطیسی در گستره بسامدی بین GHz ۵/۱۲ ...
به خواندن ادامه دهیدبه منظور خنک نمودن آهن ربا از جریان آب مقطر در لوله های داخل سیستم، استفاده می شود. منبع تغذیه آن جریان dc تا حد ١٤٠ آمپر تولید می نماید و صفحه کنترل کنندة آن در شکل(6) نشان داده شده است[ 8].
به خواندن ادامه دهیدالکترومگنت وسیلهایاست که مغناطیس خود را از جریان عبوری از یک هادی بدست می آورد. یا الکترومگنت یک آهنربای مصنوعیاست که میدان مغناطیسی در آن، با کمک جریان الکتریکی ایجادمیشود (اثر ...
به خواندن ادامه دهیداز آنجا که ممان مغناطیسی ماده فرومغناطیس در مقیاس ماکروسکوپی بعد از حذف میدان مغناطیسی با قبل از حذف متفاوت است، حالت مغناطیسی ماده به تاریخچه آن بستگی دارد.
به خواندن ادامه دهیدبردار پوینتینگ s برابر است با حاصلضرب متقاطع (1/μ)e × b، جایی که μ نفوذپذیری محیطی است که تابش از آن عبور می کنه (نفوذ پذیری مغناطیسی را ببین) e میدان الکتریکی و b است. میدان مغناطیسی است
به خواندن ادامه دهیدمشخص شدهاست که ، مقدار کمی از سیلیکون آلیاژی با فولاد کم کربن ، ماده ای برای هسته ترانسفورماتور تولید میکند ، که تلفات هیسترزیس کم و نفوذپذیری مغناطیسی بالایی برخوردار است.
به خواندن ادامه دهیدنیروی محرک مغناطیسی، مستقیماً به تعداد دورها و جریان هسته مغناطیسکننده از طریق رابطه زیر مرتبط است: اندازه شار مغناطیسی در هسته فرومغناطیسی تابعی از نفوذپذیری مواد است.
به خواندن ادامه دهیداین مسیر یک حلقه هیسترزی مغناطیسی نامیده میشود. تأثیر هیسترزیس مغناطیسی نشان میدهد که فرآیند مغناطیسی یک هسته فرومغناطیسی و بنابراین چگالی شار بستگی به این دارد که کدام قسمت از منحنی ...
به خواندن ادامه دهیدامتیاز: 5/5 ( 63 رای). مستعار "اشباع ترانسفورماتور". شرایطی که در آن هسته ترانسفورماتور کاملاً مغناطیسی شده است و حداکثر شار مغناطیسی را تولید می کند. این معمولا زمانی اتفاق می افتد که ترانسفورماتور به اندازه کافی برای ...
به خواندن ادامه دهیدتحت شرایط خاص، سرعت متناسب با دبی جریان است. به دلیل نفوذپذیری مغناطیسی تیغه، در میدان مغناطیسی آشکارساز سیگنال (متشکل از آهنرباها و سیم پیچ های دائمی) قرار دارد.
به خواندن ادامه دهیدفراماده فوتونی. فراماده فوتونی ( PM )، که تحت عنوان فراماده نوری نیز شناخته میشود، نوعی فراماده الکترومغناطیسی است که با نور برهمکنش دارد و طولموجهای تراهرتز ( THz )، مادون قرمز (IR) یا طیف ...
به خواندن ادامه دهیدیکی از ویژگیهای یک ماده فرومغناطیسی این است که اتمها یا یونهای آن گشتاور مغناطیسی دائمی داشته باشند. گشتاور مغناطیسی یک اتم از طریق الکترونهای آن حاصل میشود زیرا سهم گشتاور مغناطیسی ...
به خواندن ادامه دهید(mu_(r))، در مقابل شدت مغناطیسی (H) شکل زیر را دارد. μr=1+IH. ارزش ΜR چیست؟ نفوذپذیری فضای آزاد، μ 0 ، یک ثابت فیزیکی است که اغلب در الکترومغناطیس استفاده می شود. مقدار دقیق آن 4π x 10 -7 N/A 2 (نیوتن بر آمپر مربع) تعریف شده است.
به خواندن ادامه دهیداندازه شار مغناطیسی در هسته فرومغناطیسی تابعی از نفوذپذیری مواد است. مواد «فِرومغناطیس» (Ferromagnetic)، سطح بالایی از نفوذپذیری دارند، در حالی که مواد غیرمغناطیسی مانند هوا و چوب، نفوذپذیری ...
به خواندن ادامه دهیدچکیده مقاله: در این مقاله یک کنترل کننده پیش بین تعمیم یافته برای یک سیستم شناور مغناطیسی با در نظر گرفتن محدودیت های سیستم با استفاده از روال برنامه ریزی مربعی طراحی و شبیه سازی شده است در ...
به خواندن ادامه دهیدآموزش الکترونیک – ترنسفورماتور (Transformateur) – ترانسفورماتور یا ترَنسفورمر وسیلهای است که انرژی الکتریکی را بین دو یا چند سیمپیچ و از طریق القای الکترومغناطیسی منتقل میکند.به این صورت، یک جریان متغیر در سیمپیچ ...
به خواندن ادامه دهیدفولاد ضدزنگ ln316نفوذپذیری مغناطیسی اندکی را که برای میلگرد در سازههای نزدیک به دستگاههای الکترونیکی حساس یا تجهیزات تصویربرداری رزونانس مغناطیسی (mri ) ضروری است تامین میکند.
به خواندن ادامه دهیدمبانی. نفوذپذیری نسبت چگالی شار مغناطیسی است ب به شدت میدان مغناطیسی اچ: =باچ. ثابت میدان مغناطیسی 0 یک ثابت فیزیکی است و نشان دهنده نفوذپذیری مغناطیسی خلاء است. یک نفوذپذیری نیز به خلاء اختصاص داده شده است ، زیرا میدان ...
به خواندن ادامه دهیدیک ساختار دوسیم پیچهی ترانسفورماتو ر، شامل سیمپیچهایی است؛ که روی یک هستهی آهنی نرم مجزا، پیچیده میشوند و یک مدار مغناطیسی فراهم میکنند. این مدار مغناطیسی، که بیشتر بهعنوان ...
به خواندن ادامه دهیدنیروی مغناطیسی توسط قانون نیروی لورنتس توصیف میشود و به صورت زیر است: →F = q→v × →B→ F = q→ v × → B. باید به این موضوع اشاره کرد که این رابطه فقط قسمت مغناطیسی نیروی لورنتس است. در حقیقت شکل کامل ...
به خواندن ادامه دهیدمعرفی یاتاقان مغناطیسی. یاتاقان مغناطیسی یک سیستم یاتاقان بدون روغن است که از نیروهای الکترومغناطیسی برای حفظ موقعیت نسبی یک مجموعه دوار (روتور) نسبت به یک جزء ثابت (استاتور) استفاده می کند ...
به خواندن ادامه دهیدهوا از نفوذپذیری مغناطیسی بسیار کمی برخوردار است. ... همان طور که از نام آن پیداست، این هسته ترانسفورماتور از مواد فرومغناطیسی ساخته شده است. ... نیروی بین دو سیم پیچ حامل جریان و کنترل کننده در ...
به خواندن ادامه دهید«هیسترزیس مغناطیسی» (Magnetic Hysteresis) به تاخیر ایجاد شده در یک ماده مغناطیسی گفته میشود که به خواص مغناطیسکنندگی ماده مربوط است. در این پدیده ابتدا ماده، مغناطیس شده و سپس مغناطیس زدایی میشود.
به خواندن ادامه دهیدپیشتر در بلاگ فرادرس، معادلات ماکسول و نحوه بدست آوردن آنها را توضیح دادیم. در این قسمت قصد داریم تا از این معادلات، استفاده کرده و امواج الکترومغناطیسی را تعریف و توصیف کنیم. به دو میدان الکتریکی و مغناطیسی عمود به ...
به خواندن ادامه دهید