- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
ترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده میشود، استفاده میکند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آن‌جایی که ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون. برای این ماده، در ناحیه میکروالکترونیک و فوتوولتائیک، غیرفعال سازی سطحی معمولاً توسط اکسیداسیون به پوشش سیلیکون دی‌اکسید انجام میشود. غیرفعال سازی باعث افزایش کارایی سلول‌های ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل میشود. به دلیل امپدانس ورودی …
به خواندن ادامه دهیداکسید کننده ای که پتانسیل ایجاد اکسیداسیون انفجاری را در ترکیب با مواد دیگر دارد. پرکلرات آمونیوم (کلاس 4) پرمنگنات آمونیوم (کلاس 4) اسید کرومیک (کلاس 2) پراکسید هیدروژن (>27.5-52٪ کلاس 2 ، > 52-91٪ کلاس ...
به خواندن ادامه دهیدigfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهیددر دیتاشیت ترانزیستور، این ولتاژ به صورت ولتاژ اشباع CE و با نماد V CE(sat) تعریف میشود که همان ولتاژ لازم کلکتور-امیتر برای برای اشباع است. این مقدار معمولاً در حدود ۰٫۰۵ تا ۰٫۲ ولت است.
به خواندن ادامه دهیدمیدان الكتریكی می‌تواند توسط یک پیوند pn با بایاس معكوس اعمال شود و ترانزیستور اثر میدان میدان (jfet) را تشکیل دهد یا توسط الكترود عایق شده از مواد فله توسط یک لایه اکسید ایجاد شود و یک mosfet تشکیل ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمرسانا اکسید-فلز یا ماسفِت معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
به خواندن ادامه دهیدPDF | در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمههادی در تکنولوژی SOIمعرفی میشود که مشخصات ...
به خواندن ادامه دهیدساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس …
به خواندن ادامه دهید۳- ترانزیستور اثر میدانی (fet) ۴- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) ۱- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (bjt) در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه b جریان عبوری از دو پایه c و e کنترل میشود.
به خواندن ادامه دهیددر این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک سازی قطعات ایجاد می گردد ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت به زبان پایدارالکترونیک: یک ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی است که برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال‌های الکترونیکی استفاده میشود.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور چیست؟ انواع ترانزیستور: ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است.به عنوان تقویت کننده، آن ها در سطوح ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور های اثر میدانی دو نوع هستند، ترانزیستور های اثر پیوندی میدان (jfet) و ترانزیستور های اثر میدان اکسید فلزی (mosfet). جریان از بین دو کانال به نام کانال n و کانال p عبور می کند.
به خواندن ادامه دهیدبررسی و مدل سازی ترانزیستور نیمه هادی گالیوم آرسناید. ترانزیستورهای اثر میدان، قطعات کنترل شونده با ولتاژ می باشند. ترانزیستورهای ماسفت، بسته به کانالی که ولتاژ اعمالی به گیت در زیر سطح لایه ...
به خواندن ادامه دهیدتشکیل یک لایه دی اکسید سیلیکون میزان حالت های الکترونیکی بی اثر را در سطح سیلیکون بسیار کاهش می دهد. فیلم های SiO2 ویژگی های الکتریکی اتصالات p -n را حفظ کرده و از خراب شدن این ویژگی های الکتریکی ...
به خواندن ادامه دهیداکسید گیت یک لایه دی‌الکتریک است که پایه گیت یک ماسفت ( ترانزیستور اثر میدان فلز-اکسید-نیمرسانا) را از پایه‌های سورس و درین زیرین و همچنین کانال رسانا که هنگام روشن بودن ترانزیستور سورس و ...
به خواندن ادامه دهیداما چطور می توان از سیلیکون برای ساخت Transistor استفاده کرد؟ ... ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET) متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستورها است. ...
به خواندن ادامه دهیدمقدمه: ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدطراحی مدار تقویت کننده مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان پیوندی یا «jfet»، (در این آموزش کانال n)، یا حتی سیلیکون اکسید فلز یا «mosfet»، دقیقا همان اصل مدار ترانزیستور دو قطبی مورد استفاده در مدار ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور دارای سه لایه‌است که ساختار آن شامل یکی از حالت های زیراست: 1) یک لایه نیمه هادی نوعn بین دو لایه نوعp در پیکربندی مثبت – منفی – مثبت (PNP)،. 2) یک لایه نوعp بین دو لایه نوعn در ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز (mosfet) متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستورها است. نام «اکسید فلز» نشان می دهد که ناحیه گیت و کانال توسط یک لایه نازک از اکسید فلز که ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدانی با گیت ایزوله شده نیمه رسانای اکسید فلز در واقع یک ترانزیستور اثرمیدانی کنترل شده با ولتاژ است که همین حالت قابلیت های زیادی را برای طراحی مدارت مختلف در اختیار ما قرار ...
به خواندن ادامه دهیدماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟ یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect ...
به خواندن ادامه دهیدمشخصات پژوهش حسگرها و زیست حسگرهای الکتروشیمیایی ترانزیستور اثر میدان براساس نیمه رساناهای اکسید فلزی، نانومواد کربنی و ترکیبات پلیمری، انجام شده توسط بندر آستین چپ، دانشیار گروه فیزیک ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهیدانواع ترانزیستورهای فلز – اکسید-نیمه هادی: این ترانزیستورها، بسته به کانالی که در آنها شکل میگیرد، به دو نوع تقسیم می شود: ترانزیستور فلز-اکسید-نیمه هادی با کانال نوع n 1 و كانال نوع p 2. عملکرد ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم [۶] [۷] [۸] (به فرانسوی : Silicium) یا سیلیکن [۹] (به انگلیسی : Silicon ) (long) با نشان شیمیایی Si یک عنصر شیمیایی از خانوادهٔ شبه فلزات است که در گروه چهاردهم و دورهٔ سوم جدول تناوبی عنصرها جای دارد ...
به خواندن ادامه دهیدیک لایه نازک سیلیکون دی اکسید (SiO 2) در کل سطح قرار گرفته و سوراخ هایی برای تماس های اهمی (با مقاومتها) وجود دارد.لایه رسانای آلومینیومی در کل کانال قرار گرفته است، بطوریکه بر روی این لایه SiO2 از منبع تا تخلیه که گیت را تشکیل ...
به خواندن ادامه دهیدبا استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت (mosfet)، یا به عبارت دیگر ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز، یک دستگاه نیمه هادی است که به طور گسترده برای اهداف سوئیچینگ و برای تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه ...
به خواندن ادامه دهیدفلز بی اثر فلزی همانند طلا ، نقره ، پلاتین که مقاومت بیشتری در برابر خوردگی و اکسید شدن دارد از آن برای ساخت مدارهای پوسه - نازک ، مقاومتهای پوسه - فلزی و قطعات پوسه - فلزی دیگر استفاده می شود
به خواندن ادامه دهید